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FDN338P_G - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDN338P_G

Hersteller Teil #: FDN338P_G

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDN338P_G Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Bulk

Series

PowerTrench®

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

FET Type

P-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115m Ω @ 1.6A, 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

451pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Vgs (Max)

±8V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDN338P_G Preis
FDN338P_G Verteilers
FDN338P_G Hersteller
FDN338P_G Technische Daten
FDN338P_G PDF
FDN338P_G Datenblätter
FDN338P_G Bild
FDN338P_G Foto
FDN338P_G Teil
FDN338P_G Lagerbestand
FDN338P_G Inventar
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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