FDB3632_SB82115 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDB3632_SB82115
Hersteller Teil #: FDB3632_SB82115
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type  
Surface Mount
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Power Dissipation (Max)  
310W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
6V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
12A Ta 80A Tc
Series  
PowerTrench®
Packaging  
Bulk
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
Not Applicable
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
9m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
6000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
110nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
100V
Vgs (Max)  
±20V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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