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EPC2016 - EPC

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Kynix Teil #: KY13-EPC2016
Hersteller Teil #: EPC2016
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: EPC
Beschreibung: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Verpackung: Die
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet EPC2016 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
Die
Supplier Device Package  
Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
5V
Operating Temperature  
-40°C~125°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
eGaN®
Published  
2012
Part Status  
Discontinued
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Max Operating Temperature  
125°C
Min Operating Temperature  
-40°C
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.5V @ 3mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
520pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
5.2nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
100V
Vgs (Max)  
+6V, -5V
Continuous Drain Current (ID)  
11A
Input Capacitance  
520pF
Rds On Max  
16 mΩ
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
EPC2016 Die TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
BSC160N10NS3GATMA1 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
FDMS3662 8-PowerTDFN MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
BSC123N10LSGATMA1 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC118N10NSGATMA1 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
    Verpackung: Die
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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