STB6NC80Z - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STB6NC80Z
Hersteller Teil #: STB6NC80Z
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: 5.4A, 800V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STB6NC80Z Datenblatt
STB6NC80Z Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount
YES
Number of Terminals
2
Transistor Element Material
SILICON
Rohs Code
Yes
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
D2PAK
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
5.4 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
JESD-609 Code
e3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
MATTE TIN
Terminal Position
SINGLE
Terminal Form
GULL WING
Reach Compliance Code
not_compliant
Pin Count
4
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Qualification Status
Not Qualified
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application
SWITCHING
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code
TO-263AB
Drain-source On Resistance-Max
1.8 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
21 A
DS Breakdown Voltage-Min
800 V
Avalanche Energy Rating (Eas)
237 mJ
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)
125 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: 5.4A, 800V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
Verpackung:
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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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