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FDG313N - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDG313N

Hersteller Teil #: FDG313N

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG313N MOSFET Transistor, N Channel, 950 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV

Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDG313N Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Number of Pins

Weight

28mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

950mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

750mW Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2000

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

450mOhm

Terminal Finish

Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

25V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

950mA

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

750mW

Turn On Delay Time

3 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450m Ω @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Rise Time

8.5ns

Vgs (Max)

±8V

Fall Time (Typ)

8.5 ns

Continuous Drain Current (ID)

950mA

Threshold Voltage

800mV

Gate to Source Voltage (Vgs)

Drain Current-Max (Abs) (ID)

0.95A

Drain to Source Breakdown Voltage

25V

Height

1mm

Length

2mm

Width

1.25mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDG313N	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG313N MOSFET Transistor, N Channel, 950 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV
FDG312P	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -1.2 A, 180 mO
NTJS4405NT1	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
NTJS4405NT4G	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
PMR290XN,115	SC-75, SOT-416	MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416

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What are N channels?

N-type calcium channels are important in neurotransmitter release because they are localized at the synaptic terminals. In the peripheral nervous system, N-type channels are known to be involved in the release of many neurotransmitters like glutamate, GABA, acetylcholine, dopamine, and norepinephrine.

How N-channel MOSFET works as a switch?

N-channel MOSFETs turn on when the gate voltage is a few volts above the source, the rating for these voltages are mentioned in the datasheet and the drain-source voltage is specified in positive volts. Current flows into the drain and out of the source.

What is difference between MOSFET and JFET?

JFET(Junction Gate Field-Effect Transistor) is a three-terminal semiconductor device. MOSFET(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) is a four-terminal semiconductor device. It can only operates in the depletion mode. It operates in both depletion mode and enhancement mode.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG313N MOSFET Transistor, N Channel, 950 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV

Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: 0.60619

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.60619
10+:	$0.57188
100+:	$0.53951
500+:	$0.50897
1000+:	$0.48016

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