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IRF721 - Harris Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-IRF721
Hersteller Teil #: IRF721
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Harris Semiconductor
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet IRF721 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Turn-off Time-Max (toff)  
65 ns
Turn-on Time-Max (ton)  
36 ns
Package Style  
FLANGE MOUNT
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max  
150 °C
Number of Elements  
1
Drain Current-Max (ID)  
3.3 A
Ihs Manufacturer  
HARRIS SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Rohs Code  
No
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max  
1.8 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
13 A
DS Breakdown Voltage-Min  
350 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
50 W
Power Dissipation Ambient-Max  
50 W
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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    Einschreiben(www.singpost.com)
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