IRF721 - Samsung Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-IRF721
Hersteller Teil #: IRF721
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Samsung Semiconductor
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code  
SFM
Package Description  
TO-220, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)  
3 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)  
65 ns
Turn-on Time-Max (ton)  
35 ns
ECCN Code  
EAR99
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max  
1.8 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
13 A
DS Breakdown Voltage-Min  
350 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
190 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
50 W
Power Dissipation Ambient-Max  
50 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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