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APT5025AN - Advanced Power Technology

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Kynix Teil #: KY13-APT5025AN
Hersteller Teil #: APT5025AN
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Advanced Power Technology
Beschreibung: Description: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-3, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet APT5025AN Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description  
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Drain Current-Max (ID)  
20 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
METAL
Package Shape  
ROUND
Package Style  
FLANGE MOUNT
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
PIN/PEG
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
O-MBFM-P2
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-204AA
Drain-source On Resistance-Max  
0.25 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
80 A
DS Breakdown Voltage-Min  
500 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
230 W
Power Dissipation Ambient-Max  
230 W
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Description: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-3, 3 PIN
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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    Einschreiben(www.singpost.com)
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    Schritt4 Verpackungskartons
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