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SSH10N60 - Samsung Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-SSH10N60
Hersteller Teil #: SSH10N60
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Samsung Semiconductor
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet SSH10N60 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code  
TO-3P
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)  
10 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
ECCN Code  
EAR99
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max  
0.8 Ω
DS Breakdown Voltage-Min  
600 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
190 W
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    What is the VDS @ VDS?

    600V

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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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    Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

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