APT30GN60B - Advanced Power Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-APT30GN60B
Hersteller Teil #: APT30GN60B
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: Advanced Power Technology
Beschreibung: Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Number of Elements  
1
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)  
255 ns
Turn-on Time-Nom (ton)  
26 ns
ECCN Code  
EAR99
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Case Connection  
COLLECTOR
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-247AD
Collector Current-Max (IC)  
63 A
Collector-Emitter Voltage-Max  
600 V
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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