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APM3055NGC-TRL - American Power Devices Inc

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Kynix Teil #: KY13-APM3055NGC-TRL
Hersteller Teil #: APM3055NGC-TRL
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: American Power Devices Inc
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, GREEN, TO-263, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet APM3055NGC-TRL Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
SMALL OUTLINE
Package Description  
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Part Package Code  
D2PAK
Ihs Manufacturer  
ANPEC ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code  
Active
Rohs Code  
Yes
Drain Current-Max (ID)  
4.3 A
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
Yes
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
MATTE TIN
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Reach Compliance Code  
compliant
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-263AA
Drain-source On Resistance-Max  
0.1 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
16 A
DS Breakdown Voltage-Min  
30 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, GREEN, TO-263, 3 PIN
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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