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APT5523BFLL - Advanced Power Technology

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Kynix Teil #: KY13-APT5523BFLL
Hersteller Teil #: APT5523BFLL
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Advanced Power Technology
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet APT5523BFLL Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description  
TO-247, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)  
24 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-247AD
Drain-source On Resistance-Max  
0.23 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
96 A
DS Breakdown Voltage-Min  
550 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
1210 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
298 W
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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