STB8NM60 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB8NM60
Hersteller Teil #: STB8NM60
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: 8A, 600V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
STMICROELECTRONICS
Package Description  
D2PAK-3
Drain Current-Max (ID)  
8 A
Moisture Sensitivity Levels  
1
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
SMALL OUTLINE
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
Yes
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max  
1 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
32 A
DS Breakdown Voltage-Min  
600 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
200 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: 8A, 600V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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