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BSM151 - Siemens

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Kynix Teil #: KY13-BSM151
Hersteller Teil #: BSM151
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Siemens
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet BSM151 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
4
Transistor Element Material  
SILICON
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
SIEMENS A G
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Drain Current-Max (ID)  
48 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
ECCN Code  
EAR99
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
UPPER
Terminal Form  
UNSPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-PUFM-X4
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max  
0.12 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
192 A
DS Breakdown Voltage-Min  
500 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
625 W
Feedback Cap-Max (Crss)  
700 pF
Power Dissipation Ambient-Max  
625 W
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    How many insulated metal base plates are there?

    11

    What is the package outline/Circuit diagram?

    insulated metal base plate

    Index: 0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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