FPD1050 - RF Micro Devices Inc

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FPD1050
Hersteller Teil #: FPD1050
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: RF Micro Devices Inc
Beschreibung: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Transistor Element Material  
SILICON
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
RF MICRO DEVICES INC
Part Package Code  
DIE
Package Description  
UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
175 °C
Package Body Material  
UNSPECIFIED
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
UNCASED CHIP
ECCN Code  
EAR99
HTS Code  
8541.29.00.40
Terminal Position  
UPPER
Terminal Form  
NO LEAD
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-XUUC-N
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
DEPLETION MODE
Transistor Application  
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
DS Breakdown Voltage-Min  
10 V
FET Technology  
HIGH ELECTRON MOBILITY
Highest Frequency Band  
X BAND
Power Dissipation Ambient-Max  
3.4 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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