STB7NC80Z - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB7NC80Z
Hersteller Teil #: STB7NC80Z
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: 6.5A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
2
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
STMICROELECTRONICS
Package Description  
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)  
6.5 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
SMALL OUTLINE
JESD-609 Code  
e3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Reach Compliance Code  
not_compliant
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max  
1.5 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
26 A
DS Breakdown Voltage-Min  
800 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
290 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
135 W
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: 6.5A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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