APT5540BN - Advanced Power Technology

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Kynix Teil #: KY13-APT5540BN
Hersteller Teil #: APT5540BN
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Advanced Power Technology
Beschreibung: Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)  
18 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)  
141 ns
Turn-on Time-Max (ton)  
74 ns
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-247AD
Drain-source On Resistance-Max  
0.4 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
72 A
DS Breakdown Voltage-Min  
550 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
310 W
Feedback Cap-Max (Crss)  
230 pF
Power Dissipation Ambient-Max  
310 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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