APT5513JFLL - Advanced Power Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-APT5513JFLL
Hersteller Teil #: APT5513JFLL
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Advanced Power Technology
Beschreibung: Description: Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
4
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Drain Current-Max (ID)  
35 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
ECCN Code  
EAR99
Terminal Position  
UPPER
Terminal Form  
UNSPECIFIED
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Reference Standard  
UL RECOGNIZED
JESD-30 Code  
R-PUFM-X4
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max  
0.13 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
140 A
DS Breakdown Voltage-Min  
550 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
1600 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
379 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Description: Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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