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CPV362MU - International Rectifier

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Kynix Teil #: KY13-CPV362MU
Hersteller Teil #: CPV362MU
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: International Rectifier
Beschreibung: Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet CPV362MU Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
13
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Transferred
Ihs Manufacturer  
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T13
Number of Elements  
6
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
Additional Feature  
ULTRA FAST
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
compliant
JESD-30 Code  
R-PSFM-T13
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)  
23 W
Collector Current-Max (IC)  
7.2 A
Collector-Emitter Voltage-Max  
600 V
Gate-Emitter Voltage-Max  
20 V
VCEsat-Max  
2.6 V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
5.5 V
Power Dissipation Ambient-Max  
23 W
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    Häufig gestellte Fragen

    The IGBT technology is the key to what advanced line of IMS (Insulated Metal Substrate) Power Modules?

    International Rectifiers

    The IGBT technology is the key to the IMS (Insulated Metal Substrate) Power Modules?

    MOSFET

    What has the IGBT technology been coupled to?

    a state of the art materials system

    What is the name of the soft ultrafast diodes?

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    What is Fig. 1 of the IGBT vs. Frequency curve?

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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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