STB10NK60Z - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STB10NK60Z
Hersteller Teil #: STB10NK60Z
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: 10A, 600V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STB10NK60Z Datenblatt
STB10NK60Z Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount
YES
Number of Terminals
2
Transistor Element Material
SILICON
Rohs Code
Yes
Part Life Cycle Code
Active
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Package Description
D2PAK-3
Date Of Intro
1980-01-04
Drain Current-Max (ID)
10 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
JESD-609 Code
e3
Pbfree Code
Yes
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Terminal Position
SINGLE
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Pin Count
3
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Qualification Status
Not Qualified
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application
SWITCHING
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max
0.75 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
36 A
DS Breakdown Voltage-Min
600 V
Avalanche Energy Rating (Eas)
300 mJ
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)
115 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: 10A, 600V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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Paket
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Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
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