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AP50P10D - A Power microelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-AP50P10D

Hersteller Teil #: AP50P10D

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: A Power microelectronics

Beschreibung: 100V 50A 104W 46mΩ@4.5V,8A 1.8V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

AP50P10D Datenblatt

Attribute

Attribute Value

RoHS

true

Drain Source Voltage (Vdss)

100V

Power Dissipation (Pd)

104W

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

46mΩ@4.5V,8A

Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

1.8V@250uA

Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

125pF@25V

Input Capacitance (Ciss@Vds)

6.516nF@25V

Total Gate Charge (Qg@Vgs)

92nC@10V

Package

Tape & Reel (TR)

Operating Temperature

-55℃~+150℃@(Tj)

Type

1 Piece P-Channel

Continuous Drain Current (Id)

50A

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

AP50P10D Preis
AP50P10D Verteilers
AP50P10D Hersteller
AP50P10D Technische Daten
AP50P10D PDF
AP50P10D Datenblätter
AP50P10D Bild
AP50P10D Foto
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AP50P10D Lagerbestand
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 100V 50A 104W 46mΩ@4.5V,8A 1.8V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
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1000+:	$0.00000

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