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AP120N06P - A Power microelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-AP120N06P

Hersteller Teil #: AP120N06P

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: A Power microelectronics

Beschreibung: 65V 125A 172W 4.8mΩ@10V,55A 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

AP120N06P Datenblatt

Attribute

Attribute Value

RoHS

true

Drain Source Voltage (Vdss)

65V

Power Dissipation (Pd)

172W

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

4.8mΩ@10V,55A

Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

2.8V@250uA

Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

306pF@30V

Input Capacitance (Ciss@Vds)

3.135nF@30V

Total Gate Charge (Qg@Vgs)

77nC@10V

Package

Tube-packed

Operating Temperature

-55℃~+150℃@(Tj)

Type

1 N-Channel

Continuous Drain Current (Id)

125A

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

AP120N06P Preis
AP120N06P Verteilers
AP120N06P Hersteller
AP120N06P Technische Daten
AP120N06P PDF
AP120N06P Datenblätter
AP120N06P Bild
AP120N06P Foto
AP120N06P Teil
AP120N06P Lagerbestand
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: 65V 125A 172W 4.8mΩ@10V,55A 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

Verpackung:

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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