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AP120N08T - A Power microelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-AP120N08T

Hersteller Teil #: AP120N08T

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: A Power microelectronics

Beschreibung: 85V 120A 4.5mΩ@10V,50A 220W 3V@250uA 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

AP120N08T Datenblatt

Attribute

Attribute Value

RoHS

true

Drain Source Voltage (Vdss)

85V

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

4.5mΩ@10V,50A

Power Dissipation (Pd)

220W

Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

3V@250uA

Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

35pF@40V

Input Capacitance (Ciss@Vds)

4.032nF@40V

Total Gate Charge (Qg@Vgs)

65.7nC@10V

Package

Tape & Reel (TR)

Operating Temperature

-55℃~+150℃@(Tj)

Type

1 N-Channel

Continuous Drain Current (Id)

120A

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

AP120N08T Preis
AP120N08T Verteilers
AP120N08T Hersteller
AP120N08T Technische Daten
AP120N08T PDF
AP120N08T Datenblätter
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AP120N08T Foto
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 85V 120A 4.5mΩ@10V,50A 220W 3V@250uA 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS

Verpackung:

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

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