STW7NC90Z - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW7NC90Z
Hersteller Teil #: STW7NC90Z
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: 6A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Exterior Housing Material  
1
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
STMICROELECTRONICS
Drain Current-Max (ID)  
6 A
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
JESD-609 Code  
e3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
MATTE TIN
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
not_compliant
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-247
Drain-source On Resistance-Max  
1.9 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
24 A
DS Breakdown Voltage-Min  
900 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
315 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
160 W
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

What does the third generation of MESH OVERLAYTM Power MOSFETs integrate between gate and source?

Zener diodes

What does a MESH OVERLAYTM Power MOSFET offer?

higher ruggedness performance

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: 6A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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