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MS2575 - Advanced Power Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-MS2575

Hersteller Teil #: MS2575

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: Advanced Power Technology

Beschreibung: RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

MS2575 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

YES

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

Exterior Housing Material

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Package Description

HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN

Operating Temperature-Max

250 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

ROUND

Package Style

DISK BUTTON

ECCN Code

EAR99

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Terminal Position

RADIAL

Terminal Form

FLAT

Reach Compliance Code

unknown

JESD-30 Code

O-CRDB-F4

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE

Case Connection

BASE

Transistor Application

AMPLIFIER

Polarity/Channel Type

NPN

Power Dissipation-Max (Abs)

150 W

Collector Current-Max (IC)

3 A

DC Current Gain-Min (hFE)

Highest Frequency Band

L BAND

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

MS2575 Preis
MS2575 Verteilers
MS2575 Hersteller
MS2575 Technische Daten
MS2575 PDF
MS2575 Datenblätter
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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