IRFBF30PBF - Vishay Intertechnologies

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Kynix Teil #: KY13-IRFBF30PBF
Hersteller Teil #: IRFBF30PBF
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Vishay Intertechnologies
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
12 Weeks
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Exterior Housing Material  
1
Gross Weight  
0.31
Transport Packaging Size/Quantity  
48*32*22.5/5000
Angle (degrees)  
20°
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code  
TO-220AB
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)  
3.6 A
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
Yes
ECCN Code  
EAR99
Type  
SW-180
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Additional Feature  
AVALANCHE RATED
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Reach Compliance Code  
compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Response Time  
0.002 s
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max  
3.7 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
14 A
DS Breakdown Voltage-Min  
900 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
250 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
125 W
Rated Voltage  
12 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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