IRFBC20 - Vishay Intertechnologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRFBC20
Hersteller Teil #: IRFBC20
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Vishay Intertechnologies
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Exterior Housing Material  
1
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)  
2.2 A
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Type of capacitor  
ceramic
Kind of capacitor  
MLCC
Mounting  
SMD
Case - inch  
2225
Case - mm  
5763
Capacitors series  
KGM
Gross weight  
0.055 g
Transport Packaging Size/Qty  
29*21*28/3500
Maximum Voltage  
6 V
Trip Time  
0.3 s
Operating temperature  
-55...125°C
Tolerance  
±5%
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
Capacitance  
10nF
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Depth  
1.5-1.8 mm
Reach Compliance Code  
compliant
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Dielectric  
C0G (NP0)
Configuration  
SINGLE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Fuse Type  
Polymeric Positive Temperature Coefficient Resettable Fuse Series SMD1206
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Operating Temperature Range  
-40...+85 °C
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max  
4.4 Ω
DS Breakdown Voltage-Min  
600 V
Hold Current  
1.5 A
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
50 W
Trip Current  
3.0 A
Operating voltage  
500V
Height  
0.5-1.2 mm
Width  
3.0-3.5 mm
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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