SISH892BDN-T1-GE3 - Vishay Intertechnologies
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Kynix Teil #: KY13-SISH892BDN-T1-GE3
Hersteller Teil #: SISH892BDN-T1-GE3
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Vishay Intertechnologies
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor,
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
SISH892BDN-T1-GE3 Datenblatt
SISH892BDN-T1-GE3 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time
16 Weeks
Housing material
PA66, white
Rohs Code
Yes
Part Life Cycle Code
Active
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Gross weight
5.67
Transport packaging size/quantity
42*28*23.5/1000
Noal voltage
12/24 (DC) Vmin
Number of terals
4, non-insulated blade terminal 6.3min
ECCN Code
EAR99
Type
connector (socket) series 70413
Terminal Finish
Pure Matte Tin (Sn) - annealed
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Depth
24.8 mm
Reach Compliance Code
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
40
Saturation Current
1
Height
13.8 (housing) mm
Width
27.7 (with flanges); 18.75 (housing) mm
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| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: Power Field-Effect Transistor,
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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Datenblatt
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