MMDF3N02HDR2 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-MMDF3N02HDR2
Hersteller Teil #: MMDF3N02HDR2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
OBSOLETE (Last Updated: 8 hours ago)
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
3.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
2
Power Dissipation (Max)  
2W Ta
Turn Off Delay Time  
27 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2006
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
no
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Additional Feature  
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC  
-20V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
240
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
-3.8A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Pin Count  
8
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2W
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
90m Ω @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
630pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
18nC @ 10V
Rise Time  
32ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
21 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3.8A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.09Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
19A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
405 mJ
RoHS Status  
Non-RoHS Compliant
Lead Free  
Contains Lead
Suche nach Teilenummer:MMDF3N02HDR2 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
MMDF3N02HDR2 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-SOIC
IRF7304TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
NTMSD3P102R2SG 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
NDS9947 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Verwandte Teile in MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HDR2 Verwandtes Stichwort.
  • MMDF3N02HDR2 Preis
  • MMDF3N02HDR2 Verteilers
  • MMDF3N02HDR2 Hersteller
  • MMDF3N02HDR2 Technische Daten
  • MMDF3N02HDR2 PDF
  • MMDF3N02HDR2 Datenblätter
  • MMDF3N02HDR2 Bild
  • MMDF3N02HDR2 Foto
  • MMDF3N02HDR2 Teil
  • MMDF3N02HDR2 Lagerbestand
  • MMDF3N02HDR2 Inventar
  • MMDF3N02HDR2 Angebotsanfrage
  • Kaufen MMDF3N02HDR2
  • MMDF3N02HDR2 Anfrage
  • MMDF3N02HDR2 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What does the miniature surface mount MOSFET feature?

ultra low RDS(on) and true logic level performance

What are MOSFETs capable of withstanding high energy in?

avalanche and commutation modes

What are MiniMOS devices designed for?

low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important

What are the Typical applications of MiniMOS devices?

dc–dc converters

What are some of the low voltage motor controls used in mass storage products?

disk drives and tape drives

What is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched?

avalanche energy

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 360000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SKY81294-14-001
Skyworks Solutions Inc.
IC LED FLASH DVR 1.2V 9CSP
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMS-282P-TR1G
Broadcom Limited
Diode Schottky 15V 6-Pin SOT-363 T/R
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
80HCPS1432CRM
Renesas Electronics America Inc.
IC SER RAPIDIO SWITCH 576FCBGA
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ERJ-3EKF2701V
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.7K OHM 1% 1/10W 0603
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ERA-3AEB752V
Panasonic Electronic Components
RES SMD 7.5K OHM 0.1% 1/10W 0603
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
RMCF0805FT681R
Stackpole Electronics Inc
Res Thick Film 0805 681 Ohm 1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SFH 4713A
OSRAM Opto Semiconductors Inc.
EMITTER IR 860NM 1A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TZY2Z060AC01R00
Murata Electronics
2.5 ~ 6pF Trimmer Capacitor 25V Top Adjustment
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HCJ1206ZT0R00
Stackpole Electronics Inc
RES 0 OHM JUMPER 3/4W 1206
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SML-S13RTT86
ROHM Semiconductor
EMITTER IR 850NM 30MA 1206
Mehr erfahren