FDP8878 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDP8878
Hersteller Teil #: FDP8878
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Weight  
1.8g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
40.5W Tc
Turn Off Delay Time  
14.8 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
PowerTrench®
Published  
2001
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
40.5W
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
15m Ω @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1235pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
23nC @ 10V
Rise Time  
244ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
35.3 ns
Continuous Drain Current (ID)  
40A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
RoHS Status  
RoHS Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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