00852-6915 1330 | [email protected]

FDP5N50 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDP5N50

Hersteller Teil #: FDP5N50

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDP5N50 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

85W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

UniFET™

Published

2007

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin (Sn)

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

85W

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ω @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Rise Time

22ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

20 ns

Continuous Drain Current (ID)

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

500V

RoHS Status

RoHS Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDP5N50	TO-220-3	MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
FQP6N40C	TO-220-3	MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series
FQP5N50C	TO-220-3	MOSFET N-CH 500V 5A TO-220

FDP5N50 Preis
FDP5N50 Verteilers
FDP5N50 Hersteller
FDP5N50 Technische Daten
FDP5N50 PDF
FDP5N50 Datenblätter
FDP5N50 Bild
FDP5N50 Foto
FDP5N50 Teil
FDP5N50 Lagerbestand
FDP5N50 Inventar
FDP5N50 Angebotsanfrage
Kaufen FDP5N50
FDP5N50 Anfrage
FDP5N50 Onlinebestellung

Suchen Sie nach anderen Teilen wie fdp5n

What company produces N-Channel enhancement mode power field effect transistors?

Fairchild

What is the purpose of the DMOS technology?

minimize on-state resistance

What is the RDS(on) =?

1.15

What is the name of the type 11nC transistor?

Low gate charge

What is the dv/dt capability of the N-Channel enhancement mode power field effect transistor?

RoHS compliant

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 1403 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.76798

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.76798
10+:	$0.72451
100+:	$0.68350
500+:	$0.64481
1000+:	$0.60831

Zwischensumme: $0.76798

Kaufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt

Schritt2 Gehäuse Drivepipe

Schritt3 Antistatikbeutel

Schritt4 Verpackungskartons

Schritt5 Barcode-Versandetikett