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FQPF8N60CT - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQPF8N60CT

Hersteller Teil #: FQPF8N60CT

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

Verpackung: TO-220-3 Full Pack

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQPF8N60CT Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Number of Pins

Weight

2.27g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

48W Tc

Turn Off Delay Time

81 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

QFET®

Published

2007

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Single

Power Dissipation

48W

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ω @ 3.75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Rise Time

60.5ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

64.5 ns

Continuous Drain Current (ID)

6.26A

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

RoHS Status

RoHS Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FQPF8N60CT Preis
FQPF8N60CT Verteilers
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FQPF8N60CT Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

Verpackung: TO-220-3 Full Pack

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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