FQPF8N60CT - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FQPF8N60CT
Hersteller Teil #: FQPF8N60CT
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
Verpackung: TO-220-3 Full Pack
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3 Full Pack
Number of Pins  
3
Weight  
2.27g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
7.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
48W Tc
Turn Off Delay Time  
81 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
QFET®
Published  
2007
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
48W
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1.2 Ω @ 3.75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1255pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
36nC @ 10V
Rise Time  
60.5ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
64.5 ns
Continuous Drain Current (ID)  
6.26A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
RoHS Status  
RoHS Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
Verpackung: TO-220-3 Full Pack
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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