FQA8N80C_F109 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FQA8N80C_F109
Hersteller Teil #: FQA8N80C_F109
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package  
TO-3P
Power Dissipation (Max)  
220W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Series  
QFET®
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Published  
2007
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
800V
Vgs (Max)  
±30V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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