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FQA6N80_F109 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQA6N80_F109

Hersteller Teil #: FQA6N80_F109

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQA6N80_F109 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Supplier Device Package

TO-3P

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

185W Tc

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

QFET®

Published

2007

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.95Ohm @ 3.15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Vgs (Max)

±30V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FQA6N80_F109 Preis
FQA6N80_F109 Verteilers
FQA6N80_F109 Hersteller
FQA6N80_F109 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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