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FDP8876 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDP8876

Hersteller Teil #: FDP8876

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDP8876 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

Weight

1.8g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

51 ns

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tube

Series

PowerTrench®

Published

2013

Pbfree Code

yes

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Single

Power Dissipation

70W

Turn On Delay Time

9 ns

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7m Ω @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Rise Time

97ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

39 ns

Continuous Drain Current (ID)

70A

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDP8876	TO-220-3	MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
NTP85N03	TO-220-3	MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
IRLB8721PBF	TO-220-3	MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
NTP85N03G	TO-220-3	MOSFET N-CH 28V 85A TO-220AB
FDP6670AL	TO-220-3	MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
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