FDC2612_F095 - ON Semiconductor
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Kynix Teil #: KY13-FDC2612_F095
Hersteller Teil #: FDC2612_F095
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
FDC2612_F095 Datenblatt
FDC2612_F095 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
SuperSOT™-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tape & Reel (TR)
Series
PowerTrench®
Published
2008
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
FET Type
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs
725mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
234pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Vgs (Max)
±20V
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