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FQD2N60CTF_F080 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQD2N60CTF_F080

Hersteller Teil #: FQD2N60CTF_F080

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQD2N60CTF_F080 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 44W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

QFET®

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 950mA, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±30V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FQD2N60CTF_F080 Preis
FQD2N60CTF_F080 Verteilers
FQD2N60CTF_F080 Hersteller
FQD2N60CTF_F080 Technische Daten
FQD2N60CTF_F080 PDF
FQD2N60CTF_F080 Datenblätter
FQD2N60CTF_F080 Bild
FQD2N60CTF_F080 Foto
FQD2N60CTF_F080 Teil
FQD2N60CTF_F080 Lagerbestand
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Datenblatt

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