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FQP9N25C - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQP9N25C

Hersteller Teil #: FQP9N25C

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQP9N25C Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Package / Case

TO-220-3

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

74W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Published

2004

Packaging

Tube

Series

QFET®

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

430mOhm @ 4.4A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Vgs (Max)

±30V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FQP9N25C Preis
FQP9N25C Verteilers
FQP9N25C Hersteller
FQP9N25C Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

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Datenblatt

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