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FQP630 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQP630

Hersteller Teil #: FQP630

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQP630 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220-3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Power Dissipation (Max)

78W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

QFET®

Published

2000

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Vgs (Max)

±25V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FQP630 Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

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Verpackung: TO-220-3

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