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FQA8N80C - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQA8N80C

Hersteller Teil #: FQA8N80C

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQA8N80C Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-3P

Power Dissipation (Max)

220W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.4A Tc

Published

2007

Series

QFET®

Packaging

Tube

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.55Ohm @ 4.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Vgs (Max)

±30V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FQA8N80C Preis
FQA8N80C Verteilers
FQA8N80C Hersteller
FQA8N80C Technische Daten
FQA8N80C PDF
FQA8N80C Datenblätter
FQA8N80C Bild
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 9000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
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