FQA33N10 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQA33N10
Hersteller Teil #: FQA33N10
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package  
TO-3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
36A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Power Dissipation (Max)  
163W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Published  
2000
Series  
QFET®
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
52mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
51nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
100V
Vgs (Max)  
±25V
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Häufig gestellte Fragen

What technology is used to produce N-Channel enhancement mode power field effect transistors?

Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology

What is the maximum dv/dt rating?

175°C maximum junction temperature rating

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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