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FQU2N80TU - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQU2N80TU

Hersteller Teil #: FQU2N80TU

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQU2N80TU Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Supplier Device Package

I-PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

QFET®

Published

2000

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3Ohm @ 900mA, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Vgs (Max)

±30V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FQU2N80TU Preis
FQU2N80TU Verteilers
FQU2N80TU Hersteller
FQU2N80TU Technische Daten
FQU2N80TU PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: 0.76066

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.76066
10+:	$0.71760
100+:	$0.67698
500+:	$0.63866
1000+:	$0.60251

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