IRF630NSPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF630NSPBF

Hersteller Teil #: IRF630NSPBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF630NSPBF Datenblatt

ECAD-Modell:

Description

Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology

● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
● Lead-Free

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What do HEXFET® Power MOSFETs use to achieve low on-resistance per silicon area?

advanced processing techniques

How much power is the TO-220 package universally preferred for commercial industrial applications?

50 watts

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Menge.	Stückpreis
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