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FDI2532 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDI2532

Hersteller Teil #: FDI2532

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDI2532 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Supplier Device Package

I2PAK (TO-262)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta 79A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Power Dissipation (Max)

310W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tube

Series

PowerTrench®

Published

2002

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 33A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5870pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Vgs (Max)

±20V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDI2532 Preis
FDI2532 Verteilers
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FDI2532 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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