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FDG329N - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDG329N

Hersteller Teil #: FDG329N

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDG329N Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package

SC-88 (SC-70-6)

Power Dissipation (Max)

420mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2008

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 1.5A, 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Vgs (Max)

±12V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDG329N Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

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Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.26641
10+:	$0.25133
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1000+:	$0.21103

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