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FDD2612 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDD2612

Hersteller Teil #: FDD2612

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDD2612 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

TO-252

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

42W Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2001

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

720mOhm @ 1.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

234pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Vgs (Max)

±20V

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDD2612 Preis
FDD2612 Verteilers
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Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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