STB50N25M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB50N25M5
Hersteller Teil #: STB50N25M5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
28A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Turn Off Delay Time  
35 ns
Power Dissipation (Max)  
110W Tc
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Series  
MDmesh™ V
Packaging  
Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
65mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB50N
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
110W
Turn On Delay Time  
16 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
65m Ω @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1700pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
44nC @ 10V
Rise Time  
44ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
20 ns
Continuous Drain Current (ID)  
14A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
28A
Drain to Source Breakdown Voltage  
250V
Dual Supply Voltage  
250V
Nominal Vgs  
4 V
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Radiation Hardening  
No
REACH SVHC  
No SVHC
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB50N25M5 Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in STB50N25M5
STB50N25M5 Verwandtes Stichwort.
  • STB50N25M5 Preis
  • STB50N25M5 Verteilers
  • STB50N25M5 Hersteller
  • STB50N25M5 Technische Daten
  • STB50N25M5 PDF
  • STB50N25M5 Datenblätter
  • STB50N25M5 Bild
  • STB50N25M5 Foto
  • STB50N25M5 Teil
  • STB50N25M5 Lagerbestand
  • STB50N25M5 Inventar
  • STB50N25M5 Angebotsanfrage
  • Kaufen STB50N25M5
  • STB50N25M5 Anfrage
  • STB50N25M5 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What is the latest development of this Power MOSFET?

SGS-THOMSON

What does the resulting transistor show for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps?

high packing density

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 397 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren