STP8NS25FP - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STP8NS25FP
Hersteller Teil #: STP8NS25FP
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP
Verpackung: TO-220-3 Full Pack
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3 Full Pack
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
30W Tc
Series  
MESH OVERLAY™
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STP8N
Pin Count  
3
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
30W
Case Connection  
ISOLATED
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
450m Ω @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
51.8nC @ 10V
Rise Time  
18ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
16 ns
Continuous Drain Current (ID)  
8A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
8A
Drain-source On Resistance-Max  
0.45Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
250V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP
Verpackung: TO-220-3 Full Pack
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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