STP300NH02L - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STP300NH02L
Hersteller Teil #: STP300NH02L
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N Ch 600V 19A Pwr MESH IGBT
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
300W Tc
Turn Off Delay Time  
138 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
2V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
STripFET™
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
2.2MOhm
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STP300
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300W
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
2.2m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
7055pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
109.4nC @ 10V
Rise Time  
275ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
94.4 ns
Continuous Drain Current (ID)  
120A
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
24V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
480A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
1600 mJ
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STP300NH02L Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STP300NH02L TO-220-3 MOSFET N Ch 600V 19A Pwr MESH IGBT
IRL3803PBF TO-220-3 Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.006 Ohm; Id 140A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-16V
NTP90N02 TO-220-3 MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
IRL7833PBF TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
NTP90N02G TO-220-3 MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
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Häufig gestellte Fragen

What is the name of the strip-based process developed by STMicroelectronics?

Single Feature Size

What does the resulting transistor show for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps?

high packing density

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N Ch 600V 19A Pwr MESH IGBT
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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