STD2NM60T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD2NM60T4
Hersteller Teil #: STD2NM60T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
46W Tc
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
600V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
2A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STD2N
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
46W
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
3.2 Ω @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
8.4nC @ 10V
Rise Time  
8ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
25 ns
Continuous Drain Current (ID)  
2A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
2A
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
8A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
250 mJ
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STD2NM60T4 Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in STD2NM60T4
STD2NM60T4 Verwandtes Stichwort.
  • STD2NM60T4 Preis
  • STD2NM60T4 Verteilers
  • STD2NM60T4 Hersteller
  • STD2NM60T4 Technische Daten
  • STD2NM60T4 PDF
  • STD2NM60T4 Datenblätter
  • STD2NM60T4 Bild
  • STD2NM60T4 Foto
  • STD2NM60T4 Teil
  • STD2NM60T4 Lagerbestand
  • STD2NM60T4 Inventar
  • STD2NM60T4 Angebotsanfrage
  • Kaufen STD2NM60T4
  • STD2NM60T4 Anfrage
  • STD2NM60T4 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 235 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
STEVAL-TDR016V1
STMicroelectronics
Evaluation Board Based On PD55015-E 30 W, 155 - 165 MHz
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ML51LD1AE
Nuvoton
64KB FLASH ROM, 4KB SRAM, 2 CHS
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NUC980DR63YC
Nuvoton
IC MPU ARM9 64MB DDR-II MEMORYLQ
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
FKC05-24S15
Astrodyne TDI Power Supplies & EMI Filters
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 5W, Hybrid, DIP-23/10
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PIC12F675T-E/MD
Microchip Technology Inc
8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PDSO8, 4 X 4 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PMBFJ210
NXP Semiconductors
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TS80C188EB-8
Intel Corporation
RISC Microprocessor, 16-Bit, 8MHz, CMOS, PQFP80,
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TA48M033F
Toshiba America Electronic Components
IC VREG 3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.65 V DROPOUT, PSIP3, 2.30 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, HSIP-3, Fixed Positive Single Output LDO Regulator
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
S3L60
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 600V V(RRM), Silicon, AX14, 2 PIN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TC7SH14FU
Toshiba America Electronic Components
IC HC/UH SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-5, Gate
Mehr erfahren