STD2NM60T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD2NM60T4
Hersteller Teil #: STD2NM60T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
46W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
600V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Current Rating  
2A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STD2N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
46W
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
3.2 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
8.4nC @ 10V
Rise Time  
8ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
25 ns
Continuous Drain Current (ID)  
2A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
2A
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
8A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
250 mJ
REACH SVHC  
not_compliant
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Häufig gestellte Fragen

What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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